METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: CHEN HOU YU, HUANG WANG CHUN, CHENG KUAN LUN, WANG CHIH HAO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 02.08.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor structure and method of forming the same are provided. The semiconductor structure according to the present disclosure comprises: at least one first semiconductor element and at least one second semiconductor element on a substrate; a dielectric fin disposed between the at least one first semiconductor element and the at least one second semiconductor element; a first work function metal layer surrounding each of the at least one first semiconductor element and continuously extended from the at least one first semiconductor element to an upper surface of the dielectric fin; and a second work function metal layer disposed on the at least one second semiconductor element and the first work function metal layer. 반도체 구조 및 이를 형성하는 형성하는 방법이 제공된다. 본 개시내용에 따른 반도체 구조는 기판 위의 적어도 하나의 제1 반도체 엘리먼트 및 적어도 하나의 제2 반도체 엘리먼트; 적어도 하나의 제1 반도체 엘리먼트와 적어도 하나의 제2 반도체 엘리먼트 사이에 배치되는 유전체 핀; 적어도 하나의 제1 반도체 엘리먼트 각각을 둘러싸고 적어도 하나의 제1 반도체 엘리먼트로부터 유전체 핀의 상면까지 연속으로 연장되는 제1 일함수 금속층; 및 적어도 하나의 제2 반도체 엘리먼트 및 제1 일함수 금속층 위에 배치되는 제2 일함수 금속층을 포함한다.