메모리 디바이스를 위한 블록 패밀리 기반 오류 회피

예시적인 메모리 서브시스템은 메모리 디바이스, 및 메모리 디바이스에 작동가능하게 결합된 처리 디바이스를 포함한다. 처리 디바이스는 메모리 디바이스와 연관된 블록 패밀리를 초기화하고; 블록 패밀리와 연관된 타임아웃을 초기화하고; 메모리 디바이스에서 기준 온도를 사용하여 저온 및 고온을 초기화는 단계; 메모리 디바이스 상에 상주하는 블록을 프로그래밍하는 것에 응답하여, 블록을 블록 패밀리와 연관시키며; 타임아웃의 만료를 검출하는 것 또는 고온과 저온 간의 차이가 특정 임계 온도 값 이상이라고 결정하는 것 중 적어도 하나에 응답하여, 블...

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Main Authors MUCHHERLA KISHORE KUMAR, LIIKANEN BRUCE A, KIENTZ STEVEN MICHAEL, SHEPEREK MICHAEL, FEELEY PETER, KOUDELE LARRY J, NOWELL SHANE, KAYNAK MUSTAFA N, RAYAPROLU VAMSI PAVAN
Format Patent
LanguageKorean
Published 29.07.2022
Subjects
CALCULATING
COMPUTING
COUNTING
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Summary:예시적인 메모리 서브시스템은 메모리 디바이스, 및 메모리 디바이스에 작동가능하게 결합된 처리 디바이스를 포함한다. 처리 디바이스는 메모리 디바이스와 연관된 블록 패밀리를 초기화하고; 블록 패밀리와 연관된 타임아웃을 초기화하고; 메모리 디바이스에서 기준 온도를 사용하여 저온 및 고온을 초기화는 단계; 메모리 디바이스 상에 상주하는 블록을 프로그래밍하는 것에 응답하여, 블록을 블록 패밀리와 연관시키며; 타임아웃의 만료를 검출하는 것 또는 고온과 저온 간의 차이가 특정 임계 온도 값 이상이라고 결정하는 것 중 적어도 하나에 응답하여, 블록 패밀리를 폐쇄하도록 구성된다. An example memory sub-system includes a memory device and a processing device, operatively coupled to the memory device. The processing device is configured to initialize a block family associated with a memory device; initialize a timeout associated with the block family; initializing a low temperature and a high temperature using a reference temperature at the memory device; responsive to programming a block residing on the memory device, associate the block with the block family; and responsive to at least one of: detecting expiration of the timeout or determining that a difference between the high temperature and the low temperature is greater than or equal to a specified threshold temperature value, close the block family.
Bibliography:Application Number: KR20227021887