레지스트 조성물

집적 회로의 제조에서 레지스트로서 사용하기 위한 폴리머가 제공된다. 또한, 전자기 방사선에 대한 레지스트 조성물의 노광 시 우선적으로 분해되도록 구성된 광 분해성 화학 결합을 포함하는 하나 이상의 절단 부분을 갖는 폴리머를 포함하는 비화학적으로 증폭된 레지스트 조성물이 제공된다. 또한, 이러한 레지스트 조성물 또는 폴리머의 용도 및 이러한 조성물 또는 폴리머를 혼입하는 리소그래피 방법이 제공된다. There is provided a polymer for use as a resist in the fabrication of integr...

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Main Authors WUISTER SANDER FREDERIK, LIN QINGHUANG, MAAS RUBEN CORNELIS
Format Patent
LanguageKorean
Published 26.07.2022
Subjects
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
CINEMATOGRAPHY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
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Summary:집적 회로의 제조에서 레지스트로서 사용하기 위한 폴리머가 제공된다. 또한, 전자기 방사선에 대한 레지스트 조성물의 노광 시 우선적으로 분해되도록 구성된 광 분해성 화학 결합을 포함하는 하나 이상의 절단 부분을 갖는 폴리머를 포함하는 비화학적으로 증폭된 레지스트 조성물이 제공된다. 또한, 이러한 레지스트 조성물 또는 폴리머의 용도 및 이러한 조성물 또는 폴리머를 혼입하는 리소그래피 방법이 제공된다. There is provided a polymer for use as a resist in the fabrication of integrated circuits. There is also provided a non-chemically amplified resist composition comprising a polymer having at least one scission portion comprising a light cleavable chemical linkage configured to preferentially break upon exposure of the resist composition to electromagnetic radiation. Also provided is the use of such resist compositions or polymers as well as a lithographic method incorporating such compositions or polymers.
Bibliography:Application Number: KR20227017175