기판 상에 박막 트랜지스터의 층들을 증착하는 방법 및 스퍼터 증착 장치
적어도 하나의 제 1 쌍의 전극들 및 적어도 하나의 제 2 쌍의 전극들을 포함하는 스퍼터 증착 소스를 사용하여 기판 상에 박막 트랜지스터의 층들을 증착하는 방법(480,580)으로서, 그 방법은 기판을 제 1 진공 챔버로 이동시키는 단계(482,582); 적어도 하나의 제 1 쌍의 전극들에 바이폴라 펄스 DC 전압을 공급함으로써 기판 상에 층들 중 제 1 층을 증착하는 단계(484,584) - 제 1 층의 제 1 재료는 제 1 금속 산화물을 포함함 -; 진공 파괴(vacuum break) 없이 제 1 진공 챔버로부터 제 2 진공 챔...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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26.07.2022
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Summary: | 적어도 하나의 제 1 쌍의 전극들 및 적어도 하나의 제 2 쌍의 전극들을 포함하는 스퍼터 증착 소스를 사용하여 기판 상에 박막 트랜지스터의 층들을 증착하는 방법(480,580)으로서, 그 방법은 기판을 제 1 진공 챔버로 이동시키는 단계(482,582); 적어도 하나의 제 1 쌍의 전극들에 바이폴라 펄스 DC 전압을 공급함으로써 기판 상에 층들 중 제 1 층을 증착하는 단계(484,584) - 제 1 층의 제 1 재료는 제 1 금속 산화물을 포함함 -; 진공 파괴(vacuum break) 없이 제 1 진공 챔버로부터 제 2 진공 챔버로 기판을 이동시키는 단계(486,586); 및 적어도 하나의 제 2 쌍의 전극들에 바이폴라 펄스 DC 전압을 공급함으로써 제 1 층 상에 층들 중 제 2 층을 증착하는 단계(488,588)를 포함하고, 제 2 층의 제 2 재료는 제 2 금속 산화물을 포함하고, 제 2 재료는 제 1 재료와 상이하다.
A method (480, 580) of depositing layers of a thin-film transistor on a substrate using a sputter deposition source comprising at least one first pair of electrodes and at least one second pair of electrodes, the method comprising moving (482, 582) the substrate to a first vacuum chamber; depositing (484, 584) a first layer of the layers on the substrate by supplying the at least one first pair of electrodes with bipolar pulsed DC voltage, wherein a first material of the first layer comprises a first metal oxide; moving (486, 586) the substrate from the first vacuum chamber to a second vacuum chamber without a vacuum break; and depositing (488, 588) a second layer of the layers on the first layer by supplying the at least one second pair of electrodes with bipolar pulsed DC voltage, wherein a second material of the second layer comprises a second metal oxide, the second material being different from the first material. |
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Bibliography: | Application Number: KR20227013858 |