컨볼루션 컨텍스트 속성을 사용한 반도체 결함 발견
반도체 다이의 패터닝된 층의 광학 이미징을 위한 컨텍스트 속성이 계산된다. 컨텍스트 속성을 계산하는 단계는 복수의 커널 중의 각각의 커널과의 패터닝된 층의 패턴의 컨볼루션을 계산하는 단계를 포함하고, 복수의 커널은 직교한다. 반도체 다이 상의 결함은 컨텍스트 속성에 따라 발견된다. Context attributes for optical imaging of a patterned layer of a semiconductor die are calculated. Calculating the context attributes includes...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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15.07.2022
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Summary: | 반도체 다이의 패터닝된 층의 광학 이미징을 위한 컨텍스트 속성이 계산된다. 컨텍스트 속성을 계산하는 단계는 복수의 커널 중의 각각의 커널과의 패터닝된 층의 패턴의 컨볼루션을 계산하는 단계를 포함하고, 복수의 커널은 직교한다. 반도체 다이 상의 결함은 컨텍스트 속성에 따라 발견된다.
Context attributes for optical imaging of a patterned layer of a semiconductor die are calculated. Calculating the context attributes includes calculating convolutions of a pattern of the patterned layer with respective kernels of a plurality of kernels, wherein the plurality of kernels is orthogonal. Defects on the semiconductor die are found in accordance with the context attributes. |
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Bibliography: | Application Number: KR20227020151 |