반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법, 촬상 장치

• Main Author: KIMIZUKA NAOHIKO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 15.07.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

트랜지스터 특성의 편차를 억제할 수 있는 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법, 촬상 장치를 제공한다. 반도체 장치는 반도체 기판과, 반도체 기판의 제1 주면측에 마련된 전계효과 트랜지스터를 구비한다. 전계효과 트랜지스터는 채널이 형성되는 반도체 영역과, 반도체 영역을 덮는 게이트 전극과, 반도체 영역과 게이트 전극 사이에 배치된 게이트 절연막을 가진다. 반도체 영역은 상면과, 게이트 전극의 게이트 폭 방향에서 상면의 일방의 측에 위치하는 제1 측면을 가진다. 게이트 전극은 상면과 게이트 절연막을 통하여 마주보는 제1 부위와, 제1 측면과 게이트 절연막을 통하여 마주보는 제2 부위를 가진다. 게이트 전극의 게이트 길이 방향의 적어도 일단에서, 제1 부위의 제1 단면과 제2 부위의 제2 단면은 동일평면이다. A semiconductor device, a semiconductor device manufacturing method, and an image capturing device capable of suppressing variations in transistor characteristics. The semiconductor device includes a semiconductor substrate, and a field effect transistor. The field effect transistor includes a semiconductor region having a channel, a gate electrode covering the semiconductor region, and a gate insulating film. The semiconductor region has a top face, and a first side face at one side of the top face in a gate width direction of the gate electrode. The gate electrode has a first part facing the top face over the gate insulating film, and a second part facing the first side face over the gate insulating film. A first end face of the first part and a second end face of the second part are flush at at least one end of the gate electrode in a gate length direction.