SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING IMAGE SENSOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

• Main Authors: YAUNG DUN NIAN, LIN HSING CHIH, KAO MIN FENG, HUNG FENG CHI, TING SHYH FANN, LIU JEN CHENG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.07.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device includes a substrate having a front side and a back side that are opposite to each other. A plurality of photodetectors are disposed on the substrate within a pixel area. An isolation structure is disposed within the pixel area and between the photodetectors. The isolation structure includes a backside isolation structure extending from the back side of the substrate to one location within the substrate. A conductive plug structure is disposed on the substrate within a peripheral region. A conductive cap is disposed on the back side of the substrate, extends from the pixel area to the peripheral area and electrically connects the backside isolation structure to the conductive plug structure. A conductive contact is landed on the conductive plug structure and is electrically connected to the backside isolation structure through the conductive plug structure and the conductive cap. 반도체 디바이스는 서로 반대쪽에 있는 전면측과 후면측을 구비하는 기판을 포함한다. 복수의 광검출기가 픽셀 영역 내의 기판에서 배치된다. 격리 구조물은 픽셀 영역 내에서 그리고 광검출기들 사이에서 배치된다. 격리 구조물은 기판의 후면측으로부터 기판 내의 한 위치까지 연장되는 후면측 격리 구조물을 포함한다. 도전성 플러그 구조물은 주변 영역 내의 기판에서 배치된다. 도전성 캡이 기판의 후면측 상에서 배치되고 픽셀 영역으로부터 주변 영역까지 연장되고 후면측 격리 구조물을 도전성 플러그 구조물에 전기적으로 연결한다. 도전성 콘택트는 도전성 플러그 구조물 상에서 랜딩되고, 도전성 플러그 구조물 및 도전성 캡을 통해 후면측 격리 구조물에 전기적으로 연결된다.