W- W-BAND AMPLIFIER WITH FEEDBACK STRUCTURE

The present invention relates to a W-band amplifier having a feedback structure. The W-band amplifier having a feedback structure according to one embodiment of the present invention comprises: a front-end amplification part having at least one unit amplifier connected in series; a first feedback am...

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Main Authors SIM TAEJOO, LEE DONGMIN, KIM JUNGHYUN, LEE SUNWOO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 15.07.2022
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Summary:The present invention relates to a W-band amplifier having a feedback structure. The W-band amplifier having a feedback structure according to one embodiment of the present invention comprises: a front-end amplification part having at least one unit amplifier connected in series; a first feedback amplification part serially connected to the front-end amplification part; and a second feedback amplification part connected in series to the first feedback amplification part. The unit amplifier includes: a transistor; a gate bias circuit connected in series between a gate of the transistor and a gate power supply; and a drain bias circuit connected in series between a drain of the transistor and a drain power supply. The first feedback amplification part includes an amplifier in which a first feedback circuit connected to the gate bias circuit and the drain bias circuit is added to the structure of the unit amplifier, and the second amplification part includes an amplifier in which a second feedback circuit connected to a first transmission line connected to the gate and a second transmission line connected to the drain is added to the structure of the unit amplifier. The present invention provides the W-band amplifier with an extended bandwidth and an increased output gain in the W-band. 본 발명은 피드백 구조를 포함하는 W-대역 증폭기에 관한 발명이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 피드백 구조를 포함하는 W-대역 증폭기는, 직렬로 연결된 적어도 하나 이상의 단위증폭기를 포함하는 전단증폭부; 상기 전단증폭부에 직렬 연결되는 제1 피드백 증폭부; 및 상기 제1 피드백 증폭부에 직렬 연결되는 제2 피드백 증폭부를 포함하되, 상기 단위증폭기는, 트랜지스터(transistor); 상기 트랜지스터의 게이트(gate)와 게이트 전원 사이에 직렬로 연결된 게이트 바이어스회로; 및 상기 트랜지스터의 드레인(drain)과 드레인 전원 사이에 직렬로 연결된 드레인 바이어스회로를 포함하고, 상기 제1 피드백 증폭부는, 상기 단위증폭기의 구조에 상기 게이트 바이어스회로 및 상기 드레인 바이어스회로에 연결되는 제1 피드백(feedback) 회로가 추가된 증폭기를 포함하며, 상기 제2 피드백 증폭부는, 상기 단위증폭기의 구조에 상기 게이트에 연결된 제1 전송선로 및 상기 드레인에 연결된 제2 전송선로에 연결되는 제2 피드백 회로가 추가된 증폭기를 포함할 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20210061836