RING TRANSISTOR STRUCTURE

• Main Authors: BRUN AURELIEN GAUTHIER, CHEN PO CHIH, TSAI CHUN LIN, YU JIUN LEI JERRY, WANG YUN HSIANG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.07.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a transistor device. The transistor device includes a plurality of first source/drain contact units disposed on a substrate. A plurality of gate structures are disposed on the substrate between the plurality of first source/drain contact units. The plurality of gate structures wrap the circumferences of the plurality of first source/drain contact units with a plurality of closed loops. A second source/drain contact unit is disposed on the substrate between the plurality of gate structures. The second source/drain contact unit continuously wraps the circumferences of the plurality of gate structures as a continuous structure. 본 개시는 트랜지스터 디바이스에 대한 것이다. 트랜지스터 디바이스는 기판 위에 배치된 복수의 제1 소스/드레인 접촉부를 포함한다. 복수의 게이트 구조물은 복수의 제1 소스/드레인 접촉부 사이의 기판 위에 배치된다. 복수의 게이트 구조물은 복수의 폐쇄 루프로 복수의 제1 소스/드레인 접촉부 둘레를 감싼다. 제2 소스/드레인 접촉부는 복수의 게이트 구조물 사이에서 기판 위에 배치된다. 제2 소스/드레인 접촉부는 연속적인 구조물로서 복수의 게이트 구조물 둘레를 연속적으로 감싼다.