TSVBACKSIDE OR FRONTSIDE THROUGH SUBSTRATE VIA TSV LANDING ON METAL

• Main Authors: LI ZHENG XUN, LIN HSING CHIH, YAUNG DUN NIAN, KAO MIN FENG, LIU JEN CHENG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.07.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Some embodiments relate to a semiconductor structure comprising a semiconductor substrate and an interconnect structure disposed on the semiconductor substrate. The interconnect structure includes a dielectric structure and a plurality of metal lines stacked on each other within the dielectric structure. A through-substrate via (TSV) extends through the semiconductor substrate to contact a metal line of the plurality of metal lines. A protective sleeve is disposed along an outer sidewall of the TSV and separates the outer sidewall of the TSV from the dielectric structure of the interconnect structure. 일부 실시형태는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 위에 배치된 인터커넥트 구조를 포함하는 반도체 구조에 관한 것이다. 상기 인터커넥트 구조는 유전체 구조와, 상기 유전체 구조 내에 서로 적층되는 복수의 금속 라인을 포함한다. 기판 관통 비아(TSV)가 상기 반도체 기판을 통해 연장되어 상기 복수의 금속 라인 중의 금속 라인과 접촉한다. 보호용 슬리브가 상기 TSV의 외부 측벽을 따라 배치되고 상기 TSV의 외부 측벽을 상기 인터커넥트 구조의 유전체 구조와 분리시킨다.