SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE

• Main Authors: KUO HSUAN TING, HSIEH CHING HUA, CHUNG PHILIP YU SHUAN, PEI HAO JAN, TSAO CHIH CHIANG, CHEN WEI YU, CHANG CHIA LUN, LIN HSIU JEN, YU JEN JUI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.07.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method includes: a step of forming a plurality of regions of a solder paste, which has a first melting temperature, on a redistribution structure; a step of forming a plurality of solder bumps, which have a second melting temperature greater than the first melting temperature, on a mutual connection structure; a step of disposing the plurality of solder bumps on the plurality of regions of the solder paste; a step of performing a first reflow process at a first reflow temperature, which is lower than the second melting temperature, during a first time of period; and a step of performing a second reflow process at a second reflow temperature, which is greater than the second melting temperature, during a second time of period after the step of performing the first reflow process. 방법은, 재배선 구조체 상에 솔더 페이스트의 복수의 영역들을 형성하는 단계 - 솔더 페이스트는 제 1 녹는 온도를 가짐 - ; 상호연결 구조체 상에 복수의 솔더 범프들을 형성하는 단계 - 복수의 솔더 범프들은 제 1 녹는 온도보다 큰 제 2 녹는 온도를 가짐 - ; 복수의 솔더 범프들을 솔더 페이스트의 복수의 영역들 상에 배치시키는 단계; 제 1 시간 기간 동안 제 1 리플로우 온도로 제 1 리플로우 프로세스를 수행하는 단계 - 제 1 리플로우 온도는 제 2 녹는 온도보다 작음 - ; 및 제 1 리플로우 프로세스를 수행하는 단계 후, 제 2 시간 기간 동안 제 2 리플로우 온도로 제 2 리플로우 프로세스를 수행하는 단계 - 제 2 리플로우 온도는 제 2 녹는 온도보다 큼 - 를 포함한다.