SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

• Main Authors: KIM NAM KUK, LEE KUN YOUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.07.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Embodiments of the present invention provide a hybrid memory having both a volatile memory and a non-volatile memory on one substrate so as to reduce manufacturing costs while increasing the operating speed of a semiconductor device, and a manufacturing method of the hybrid memory. The hybrid memory according to an embodiment of the present invention includes: a substrate including a cell area and a peripheral circuit area; a non-volatile memory comprising an alternating stack in which a plurality of insulating layers and a plurality of horizontal word lines are alternately stacked on the upper part of the substrate; and a volatile memory including a capacitor penetrating the alternating stack. 본 발명의 실시예들은 반도체장치의 동작속도를 증가시키면서 제조비용을 절감할 수 있도록, 하나의 기판 상에 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리를 모두 구비하는 하이브리드 메모리 및 하이브리드 메모리 제조방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 메모리는 셀영역과 주변회로영역을 포함하는 기판, 기판 상부에 복수의 절연층과 복수의 수평형 워드라인이 교번하여 적층된 교번스택을 포함하는 비휘발성메모리 및 교번스택을 관통하는 캐패시터를 포함하는 휘발성메모리를 포함할 수 있다.