마스크 패턴 생성의 일관성을 개선하기 위한 방법

• Main Authors: ZHANG QUAN, CHEN BEEN DER, LU YEN WEN, CHOW TATUNG
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 07.07.2022
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CALCULATING; CINEMATOGRAPHY; COMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS; COMPUTING; COUNTING; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

기판 상에 인쇄될 타겟 패턴에 대한 마스크 패턴을 결정하는 방법이 본 명세서에 설명된다. 방법은 타겟 패턴을 포함하는 설계 레이아웃의 부분을 타겟 패턴 상의 주어진 위치를 참조하여 복수의 셀로 분할하는 단계; 복수의 셀 중 특정 셀 내에서 복수의 변수를 할당하는 단계- 특정 셀은 타겟 패턴 또는 그의 일부를 포함함 -; 및 복수의 변수의 값들에 기초하여, 마스크 패턴을 이용하는 패터닝 프로세스의 성능 메트릭이 원하는 성능 범위 내에 있도록 타겟 패턴에 대한 마스크 패턴을 결정하는 단계를 포함한다. A method of determining a mask pattern for a target pattern to be printed on a substrate. The method includes partitioning a portion of a design layout including the target pattern into a plurality of cells with reference to a given location on the target pattern; assigning a plurality of variables within a particular cell of the plurality of cells, the particular cell including the target pattern or a portion thereof; and determining, based on values of the plurality of variables, the mask pattern for the target pattern such that a performance metric of a patterning process utilizing the mask pattern is within a desired performance range.