APPARATUS AND MEHTOD FOR TREATING A SUBSTRATE

The present invention provides a substrate processing device. In one example, the substrate processing device includes: a process chamber having a processing space therein; a support unit positioned within the processing space and supporting the substrate; a heating unit provided to heat the substra...

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Main Authors LEE SANG HOON, JUNG SUN WOOK, SHIN KYUNG SIK, EUM KI SANG, KIM JUN HO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 07.07.2022
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Summary:The present invention provides a substrate processing device. In one example, the substrate processing device includes: a process chamber having a processing space therein; a support unit positioned within the processing space and supporting the substrate; a heating unit provided to heat the substrate placed on the support unit; a gas supply unit supplying gas to the processing space; and an exhaust unit exhausting the processing space. The gas supply unit includes a first supply unit supplying gas at a first flow rate through a first supply pipe, and a second supply unit supplying gas at a second flow rate through a second supply pipe. 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 예에서, 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과; 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 유닛과; 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 그리고, 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하고, 가스 공급 유닛은, 제1공급관을 통해 가스를 제1유량으로 공급하는 제1공급 유닛과; 제2공급관을 통해 가스를 제2유량으로 공급하는 제2공급 유닛을 가질 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20200186316