CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PAD

연마 표면을 갖는 연마 층을 함유하는 화학 기계적 연마 패드가 제공되고, 여기서 연마 층은 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체; 및, 고분자량 폴리올 경화제 및 이관능성 경화제를 함유하는 경화제 시스템을 포함하는 성분의 반응 생성물을 포함한다. A chemical mechanical polishing pad is provided containing a polishing layer having a polishing surface, wherein the polishing layer comprises a reaction product...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors MARTY DEGROOT, BAINIAN QIAN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 28.06.2022
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
GRINDING
MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
PERFORMING OPERATIONS
POLISHING
SEMICONDUCTOR DEVICES
TRANSPORTING
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:연마 표면을 갖는 연마 층을 함유하는 화학 기계적 연마 패드가 제공되고, 여기서 연마 층은 이소시아네이트 말단 우레탄 예비중합체; 및, 고분자량 폴리올 경화제 및 이관능성 경화제를 함유하는 경화제 시스템을 포함하는 성분의 반응 생성물을 포함한다. A chemical mechanical polishing pad is provided containing a polishing layer having a polishing surface, wherein the polishing layer comprises a reaction product of ingredients, including: an isocyanate terminated urethane prepolymer; and, a curative system, containing a high molecular weight polyol curative; and, a difunctional curative.
Bibliography:Application Number: KR20220074216