AlN AlN SINGLE CRYSTAL AND THE GROWING METHOD THEREOF

본 발명은 물리기상전달(PVT)법을 사용하여 AlN 단결정을 성장시키는 방법으로서, AlN 단결정 성장시 사용되는 질화알루미늄(AlN) 원료 분말의 공극률이 70부피% 내지 75부피%인, AlN 단결정 성장방법에 관한 것이다.

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Bibliographic Details
Main Authors CHUN MYONG CHUEL, YEO IM GYU, LEE SEUNG SEOK
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 28.06.2022
Subjects
AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE
APPARATUS THEREFOR
CHEMISTRY
CRYSTAL GROWTH
METALLURGY
PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE
REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL
SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE
SINGLE-CRYSTAL-GROWTH
UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Summary:본 발명은 물리기상전달(PVT)법을 사용하여 AlN 단결정을 성장시키는 방법으로서, AlN 단결정 성장시 사용되는 질화알루미늄(AlN) 원료 분말의 공극률이 70부피% 내지 75부피%인, AlN 단결정 성장방법에 관한 것이다.
Bibliography:Application Number: KR20200178421