규소 함량이 높은 습식 제거성 평탄화 층

습식 제거성 규소 갭 충전 층으로서 사용하기 위한 리소그래피 조성물을 제공한다. 상기 조성물을 사용하는 방법은 기판 위의 형태학적 피처 상에서 규소 갭 충전 층을 이용하는 단계를 포함한다. 규소 갭 충전 층은 기판에 직접 적용될 수 있거나, 또는 기판에 적용될 수 있는 임의의 중간층(들)에 적용될 수 있다. 바람직한 규소 갭 충전 층은 규소 함량이 높은 스핀-코팅가능한 중합체 조성물로부터 형성되며, 이들 층은 우수한 갭 충전 및 평탄화 성능 및 높은 산소 에칭 저항성을 나타낸다. Lithographic compositions for...

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Main Authors LUO MING, SAKAVUYI KAUMBA, KRISHNAMURTHY VANDANA, WANG YUBAO
Format Patent
LanguageKorean
Published 23.06.2022
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:습식 제거성 규소 갭 충전 층으로서 사용하기 위한 리소그래피 조성물을 제공한다. 상기 조성물을 사용하는 방법은 기판 위의 형태학적 피처 상에서 규소 갭 충전 층을 이용하는 단계를 포함한다. 규소 갭 충전 층은 기판에 직접 적용될 수 있거나, 또는 기판에 적용될 수 있는 임의의 중간층(들)에 적용될 수 있다. 바람직한 규소 갭 충전 층은 규소 함량이 높은 스핀-코팅가능한 중합체 조성물로부터 형성되며, 이들 층은 우수한 갭 충전 및 평탄화 성능 및 높은 산소 에칭 저항성을 나타낸다. Lithographic compositions for use as wet-removable silicon gap fill layers are provided. The method of using these compositions involves utilizing a silicon gap fill layer over topographic features on a substrate. The silicon gap fill layer can either be directly applied to the substrate, or it can be applied to any intermediate layer(s) that may be applied to the substrate. The preferred silicon gap fill layers are formed from spin-coatable, polymeric compositions with high silicon content, and these layers exhibit good gap fill and planarization performance and high oxygen etch resistance.
Bibliography:Application Number: KR20227016931