SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: ICHIJO MITSUHIRO, SUZUKI KUNIHIKO, TAKEMURA YASUHIKO, ENDO TOSHIYA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 21.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

산화물 반도체를 사용하는 트랜지스터에서는 산화물 반도체 내에 수소가 존재함으로써 트랜지스터의 전기 특성 불량으로 이어진다. 그래서, 양호한 전기 특성을 갖는 반도체 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 채널 영역이 형성되는 산화물 반도체층과 접촉되는 절연층을 할로겐화실리콘을 사용하여 플라즈마 CVD법에 의하여 형성한다. 상술한 바와 같이 형성된 절연층의 수소 농도는 6×1020atoms/cm3 미만이며, 또 할로겐 농도가 1×1020atoms/cm3 이상이므로, 산화물 반도체층으로 수소가 확산되는 것을 방지할 수 있고, 할로...