SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: ICHIJO MITSUHIRO, SUZUKI KUNIHIKO, TAKEMURA YASUHIKO, ENDO TOSHIYA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 21.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

산화물 반도체를 사용하는 트랜지스터에서는 산화물 반도체 내에 수소가 존재함으로써 트랜지스터의 전기 특성 불량으로 이어진다. 그래서, 양호한 전기 특성을 갖는 반도체 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 채널 영역이 형성되는 산화물 반도체층과 접촉되는 절연층을 할로겐화실리콘을 사용하여 플라즈마 CVD법에 의하여 형성한다. 상술한 바와 같이 형성된 절연층의 수소 농도는 6×1020atoms/cm3 미만이며, 또 할로겐 농도가 1×1020atoms/cm3 이상이므로, 산화물 반도체층으로 수소가 확산되는 것을 방지할 수 있고, 할로겐에 의하여 산화물 반도체층 내에 존재하는 수소를 불활성화시키거나 또는 탈리시켜 양호한 전기 특성을 갖는 반도체 장치를 제공할 수 있다. In a transistor including an oxide semiconductor, hydrogen in the oxide semiconductor leads to degradation of electric characteristics of the transistor. Thus, an object is to provide a semiconductor device having good electrical characteristics. An insulating layer in contact with an oxide semiconductor layer where a channel region is formed is formed by a plasma CVD method using a silicon halide. The insulating layer thus formed has a hydrogen concentration less than 6×1020 atoms/cm3 and a halogen concentration greater than or equal to 1×1020 atoms/cm3; accordingly, hydrogen diffusion into the oxide semiconductor layer can be prevented and hydrogen in the oxide semiconductor layer is inactivated or released from the oxide semiconductor layer by the halogen, whereby a semiconductor device having good electrical characteristics can be provided.