N HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DOPED WITH N-TYPE DOPANT AND METHOD FOR MANUFACTURING THEROF

본 발명은 고전자 이동도 트랜지스터(High electron mobility transitor, HEMT)에 관한 것으로, 단결정 기판, 기판 상에 형성되는 AlN 버퍼층, AlN 버퍼층 상에 형성되는 N형 불순물로 도핑된 N형 GaN 도핑층, N형 GaN 도핑층 상에 형성되는 GaN 채널층 및 GaN 채널층 상에 형성되는 AlxInyGa1-x-yN 배리어층(x,y는 0과 1 사이의 실수)을 포함하며, 버퍼층과 채널층 사이에 N형 불순물이 도핑된 도핑층을 형성하여 채널층 성장시 표면 거칠기를 개선할 수 있는 N형 불순물이 도핑된 고...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors KIM KEONO, CHOI UIHO, JUNG DONG HYEOP, KIM MIN HO, NAM OK HYUN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 15.06.2022
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:본 발명은 고전자 이동도 트랜지스터(High electron mobility transitor, HEMT)에 관한 것으로, 단결정 기판, 기판 상에 형성되는 AlN 버퍼층, AlN 버퍼층 상에 형성되는 N형 불순물로 도핑된 N형 GaN 도핑층, N형 GaN 도핑층 상에 형성되는 GaN 채널층 및 GaN 채널층 상에 형성되는 AlxInyGa1-x-yN 배리어층(x,y는 0과 1 사이의 실수)을 포함하며, 버퍼층과 채널층 사이에 N형 불순물이 도핑된 도핑층을 형성하여 채널층 성장시 표면 거칠기를 개선할 수 있는 N형 불순물이 도핑된 고전자 이동도 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Bibliography:Application Number: KR20200170835