HEAT TREATMENT APPARATUS

• Main Authors: OMORI MAO, KONDO YASUAKI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 14.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

[과제] 가스 공급 관련 요소의 설치 스페이스를 작게 할 수 있는 열처리 장치를 제공한다. [해결 수단] 반도체 웨이퍼에 가열 처리를 행하는 챔버(10)에 지연성 가스 라인(31), 가연성 가스 라인(41) 및 불활성 가스 라인(51)이 접속되어 있다. 챔버(10)에 가연성 가스를 공급하기 전에는 불활성 가스 라인(51)으로부터 지연성 가스 라인(31)으로 질소를 보내어 지연성 가스 라인(31) 내를 질소로 치환한다. 챔버(10)에 지연성 가스를 공급하기 전에는 불활성 가스 라인(51)으로부터 가연성 가스 라인(41)으로 질소를 보내어 가연성 가스 라인(41) 내를 질소로 치환한다. 지연성 가스 라인(31) 및 가연성 가스 라인(41)에 공통의 1개의 불활성 가스 라인(51)을 설치하고 있기 때문에, 가스 공급 관련 요소의 설치 스페이스를 작게 할 수 있다. A combustion-supporting gas line, a flammable gas line, and an inert gas line are connected to a chamber performing a heat treatment on a semiconductor wafer. Nitrogen is sent from the inert gas line to the combustion-supporting gas line before supplying flammable gas into the chamber to replace gas in the combustion-supporting gas line with nitrogen. Nitrogen is sent from the inert gas line to the flammable gas line before supplying combustion-supporting gas into the chamber to replace gas in the flammable gas line with nitrogen. Common one inert gas line is provided in the combustion-supporting gas line and the flammable gas line, thus a space for arranging components relating to gas supply can be reduced.