PROCESS WINDOW WIDENING USING COATED PARTS IN PLASMA ETCH PROCESSES

• Main Authors: LUBOMIRSKY DMITRY, TAN TIEN FAK, YANG DONGQING, HILLMAN PETER, XIA MING, ZHU LALA, INGLE NITIN K, SNEDIGAR CHRISTOPHER
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 13.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 기술의 실시예들은 식각 방법을 포함할 수 있다. 방법은, 제1 혼합물을 형성하기 위해 플라즈마 유출물들을 챔버의 제1 섹션의 가스와 혼합하는 단계를 포함할 수 있다. 방법은 또한, 제1 혼합물을 챔버의 제2 섹션의 기판으로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 제1 섹션 및 제2 섹션은 니켈 도금된 물질을 포함할 수 있다. 방법은, 제2 층에 대해 선택적으로 제1 층을 식각하기 위해 제1 혼합물을 기판과 반응시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 추가적으로, 방법은, 제1 혼합물과 기판의 반응으로부터의 생성물들을 포함하는 제2 혼합물을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. Embodiments of the present technology may include a method of etching. The method may include mixing plasma effluents with a gas in a first section of a chamber to form a first mixture. The method may also include flowing the first mixture to a substrate in a second section of the chamber. The first section and the second section may include nickel plated material. The method may further include reacting the first mixture with the substrate to etch a first layer selectively over a second layer. In addition, the method may include forming a second mixture including products from reacting the first mixture with the substrate.