APPARATUS FOR GENERATING PLASMA APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE INCLUDING THE SAME AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME
기판을 처리하는 장치가 개시된다. 상기 장치는, 내부에 기판을 처리하는 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 챔버 내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 발생 유닛;을 포함하되, 상기 플라즈마 발생 유닛은, 고주파 전원; 상기 고주파 전원에 연결되는 매처; 제1 안테나; 제2 안테나; 상기 고주파 전원, 그리고 상기 제1 및 제2 안테나들 사이에 연결된 매처를 포함하고, 상기 매처는 상기 제1 안테나와 상기 제2 안테나로 전류를 분배하...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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13.06.2022
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Summary: | 기판을 처리하는 장치가 개시된다. 상기 장치는, 내부에 기판을 처리하는 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 챔버 내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 발생 유닛;을 포함하되, 상기 플라즈마 발생 유닛은, 고주파 전원; 상기 고주파 전원에 연결되는 매처; 제1 안테나; 제2 안테나; 상기 고주파 전원, 그리고 상기 제1 및 제2 안테나들 사이에 연결된 매처를 포함하고, 상기 매처는 상기 제1 안테나와 상기 제2 안테나로 전류를 분배하는 전류 분배기;를 포함하며, 상기 전류 분배기는, 상기 제1 안테나와 상기 제2 안테나 사이에 배치되는 제1 커패시터; 상기 제2 안테나와 직렬로 연결되는 제2 커패시터; 및 상기 제2 안테나와 병렬로 연결되는 제3 커패시터를 포함하고, 상기 제1 커패시터 및 상기 제2 커패시터는 가변 커패시터로 제공될 수 있다.
Disclosed is an apparatus for treating a substrate. The apparatus may include a chamber having a space for treating the substrate therein; a support unit supporting the substrate in the chamber; a gas supply unit supplying gas into the chamber; and a plasma generation unit exciting the gas in the chamber into a plasma state, wherein the plasma generation unit may include high frequency power supply; a first antenna; a second antenna; and a matcher connected between the high frequency power supply and the first and second antennas, wherein the matcher may include a current distributor distributing a current to the first antenna and the second antenna, and the current distributor includes a first capacitor disposed between the first antenna and the second antenna; a second capacitor connected with the second antenna in series; and a third capacitor connected with the second antenna in parallel, wherein the first capacitor and the second capacitor may be provided as variable capacitors. |
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Bibliography: | Application Number: KR20200167470 |