점광원형 발광 다이오드 및 그 제조 방법

• Main Authors: SHINDO NARUKI, IWATA MASATOSHI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 09.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

제조 공정을 간략화할 수 있으며, 또한, 발광 패턴에 있어서의 광방출창 이외로부터의 발광을 저감할 수 있는 점광원형 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 점광원형 발광 다이오드는, 기판과, n형 클래드층과, 발광층과, p형 클래드층과, 개구부를 갖는 n형 전류 협착층과, 상기 n형 전류 협착층 상에 마련되는 p형 컨택트층과, 상기 개구부와 중심을 동일하게 하는 광방출창을 갖는 p형 전극을 구비하고, 상기 광방출창의 창 개구폭은, 상기 개구부의 개구폭 이상의 크기이며, 상기 점광원형 발광 다이오드는, 두께 방향에서 상기 p형 컨택트층으로부터 상기 발광층으로 이어지는 수소 이온 주입부를 갖고, 상기 발광층은, 상기 광방출창과 중심을 동일하게 하여 상기 광방출창의 개구폭보다 큰 영역폭을 구비하는 비주입 영역과, 상기 비주입 영역을 둘러싸는 수소 이온 주입 영역을 갖는다. The point source light-emitting diode includes a substrate; an n-type cladding layer; a light emitting layer; a p-type cladding layer; an n-type current confinement layer; a p-type contact layer provided on the n-type current confinement layer; and a p-type electrode having a light emission window concentric with the opening. The window opening width of the light emission window is equal to or larger than an opening width of the opening. The point source light-emitting diode has a hydrogen ion implanted area extending from the p-type contact layer to the light emitting layer in the thickness direction. The light emitting layer has a non-implanted region that has a region width larger than the opening width of the light emission window and is concentric with the light emission window, and a hydrogen ion implanted region enclosing the non-implanted region.