SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE INCLUDING THE SAME
Disclosed are a semiconductor device and a semiconductor device package including the same, which can improve the ohmic characteristics. The semiconductor device comprises: a semiconductor structure including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an act...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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30.05.2022
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Summary: | Disclosed are a semiconductor device and a semiconductor device package including the same, which can improve the ohmic characteristics. The semiconductor device comprises: a semiconductor structure including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; a first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; and a second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer, wherein the second conductive semiconductor layer includes a first point having the highest aluminum composition in the semiconductor structure and a third point having the lowest aluminum composition, the first conductive semiconductor layer includes a second point having the highest aluminum composition in the first conductive semiconductor layer and a fourth point having the lowest aluminum composition in the first conductive semiconductor layer, a ratio of the aluminum composition between the third point and the first point is 1:4 to 1:100, and a ratio of the aluminum composition between the fourth point and the second point is 1:0.5 to 1:0.9.
실시 예는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극;을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층은 상기 반도체 구조물 내에서 알루미늄 조성이 가장 높은 제1 지점, 및 알루미늄 조성이 가장 낮은 제3 지점을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층은 상기 제1 도전형 반도체층내에서 알루미늄 조성이 가장 높은 제2 지점, 및 알루미늄 조성이 가장 낮은 제4 지점을 포함하고, 상기 제3 지점과 상기 제1 지점 사이의 알루미늄 조성의 비는 1:4 내지 1:100이고, 상기 제4 지점과 상기 제2 지점 사이의 알루미늄 조성의 비는 1:0.5 내지 1:0.9인 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지를 개시한다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20220059923 |