COMPOSITIONS AND METHODS FOR ETCHING SILICON NITRIDE-CONTAINING SUBSTRATES

질화 규소를 포함하는 마이크로일렉트로닉 디바이스 기판의 습식 에칭에 유용한 조성물 및 방법에 대해 기재되어 있다; 조성물은 인산, 헥사플루오로규산, 및 아미노 알콕시 실란, 및 임의로 하나 이상의 추가적인 선택적 성분을 포함한다; 질화 규소 및 산화 규소를 포함하는 기판을 기재된 조성물을 사용하여 습식 에칭하는 방법은 유용한 또는 개선된 질화 규소의 에칭 속도, 유용한 또는 개선된 질화 규소의 선택성, 이들의 조합, 및 임의로 에칭 후 기판 표면에 존재하는 입자의 감소를 달성할 수 있다, Described are compositio...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors YANG MIN CHIEH, TU SHENG HUNG, KIM SEAN, COOPER EMANUEL, DAI WEN HAW, WU HSING CHEN, BILODEAU STEVEN, HONG SEONGJIN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 27.05.2022
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…