COMPOSITIONS AND METHODS FOR ETCHING SILICON NITRIDE-CONTAINING SUBSTRATES
질화 규소를 포함하는 마이크로일렉트로닉 디바이스 기판의 습식 에칭에 유용한 조성물 및 방법에 대해 기재되어 있다; 조성물은 인산, 헥사플루오로규산, 및 아미노 알콕시 실란, 및 임의로 하나 이상의 추가적인 선택적 성분을 포함한다; 질화 규소 및 산화 규소를 포함하는 기판을 기재된 조성물을 사용하여 습식 에칭하는 방법은 유용한 또는 개선된 질화 규소의 에칭 속도, 유용한 또는 개선된 질화 규소의 선택성, 이들의 조합, 및 임의로 에칭 후 기판 표면에 존재하는 입자의 감소를 달성할 수 있다, Described are compositio...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
27.05.2022
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Summary: | 질화 규소를 포함하는 마이크로일렉트로닉 디바이스 기판의 습식 에칭에 유용한 조성물 및 방법에 대해 기재되어 있다; 조성물은 인산, 헥사플루오로규산, 및 아미노 알콕시 실란, 및 임의로 하나 이상의 추가적인 선택적 성분을 포함한다; 질화 규소 및 산화 규소를 포함하는 기판을 기재된 조성물을 사용하여 습식 에칭하는 방법은 유용한 또는 개선된 질화 규소의 에칭 속도, 유용한 또는 개선된 질화 규소의 선택성, 이들의 조합, 및 임의로 에칭 후 기판 표면에 존재하는 입자의 감소를 달성할 수 있다,
Described are compositions and methods useful for wet-etching a microelectronic device substrate that includes silicon nitride; the compositions including phosphoric acid, hexafluorosilicic acid, and an amino alkoxy silane, and optionally one or more additional optional ingredients; a wet etching method of a substrate that includes silicon nitride and silicon oxide, that uses a composition as described, can achieve useful or improved silicon nitride etch rate, useful or improved silicon nitride selectivity, a combination of these, and optionally a reduction in particles present at a substrate surface after etching. |
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Bibliography: | Application Number: KR20227016417 |