저휘발성 전구체 공급 시스템

• Main Authors: SUZUKI KAZUMA, MATSUMOTO KOJI, TARUTANI KOHEI, KAMEOKA TAKASHI, OKUBO SHINGO, KOURA TERUMASA, SUZUKI IKUO, ISHIDA KOJI, NOZAWA FUMIKAZU, NAKAGAWA TOSHIYUKI, YANAGITA KAZUTAKA, GOTO MIKIO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 26.05.2022
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

공급 시스템이 전구체를 포함하는 제1 용기, 제2 용기, 제1 용기를 제2 용기에 유체적으로 연결하는 제1 가스 도관으로서, 압력 감소 장치 및 유동 제어 장치가 내부에 유체적으로 장착되는, 제1 가스 도관, 제2 용기를 사용 지점에 유체적으로 연결하는 제2 가스 도관, 및 제2 용기 내의 전구체의 부분압을 측정하기 위한 압력 감소 장치 하류의 압력 게이지를 포함하고, 제2 용기 내의 전구체의 부분압은 제2 용기의 온도에서의 전구체의 포화 증기압보다 낮고 사용 지점에서의 유동 제어 장치의 유입구 압력 요건보다 높은 압력이다. 또한, 공급 시스템의 이용 방법이 개시된다. Supply system include a first vessel containing the precursor, a second vessel, a first gas conduit fluidically connecting the first vessel to the second vessel, wherein a pressure reduction device and a flow control device are fluidically mounted therein, a second gas conduit fluidically connecting the second vessel to a point of use, and a pressure gauge downstream the pressure reduction device for measuring a partial pressure of the precursor in the second vessel, wherein the partial pressure of the precursor in the second vessel is at a pressure lower than the saturated vapor pressure of the precursor at the temperature of the second vessel and higher than an inlet pressure requirement of the flow control device at the point of use. Methods for using the supply system are also disclosed.