광전자 부품, 반도체 구조체 및 방법

• Main Authors: KLEMP CHRISTOPH, SUNDGREN PETRUS, BIEBERSDORF ANDREAS, ILLEK STEFAN, PIETZONKA INES, FEIX FELIX, BERGER CHRISTIAN, KANEVCE ANA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.05.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 구조체는 n-도핑된 제1 층, 제1 도펀트로 도핑된 p-도핑된 제2 층, 및 n-도핑된 제1 층과 p-도핑된 제2 층 사이에 배열되고 적어도 하나의 양자 우물을 포함하는 활성 층을 포함한다. 반도체 구조체의 활성 층은 복수의 제1 광학 활성 영역, 적어도 하나의 제2 영역, 및 적어도 하나의 제3 영역으로 분할된다. 이러한 경우, 복수의 제1 광학 활성 영역은 육각형 패턴으로 서로 이격되어 배열된다. 활성 영역 내의 적어도 하나의 양자 우물은 복수의 제1 광학 활성 영역 및 적어도 하나의 제3 영역에서보다 적어도 하나의 제2 영역에서 더 큰 밴드 갭을 가지며, 여기서 밴드 갭은 특히 양자 우물 혼합물에 의해 수정된다. 적어도 하나의 제2 영역은 복수의 제1 광학 활성 영역을 둘러싼다. A semiconductor structure comprises an n-doped first layer, a p-doped second layer doped with a first dopant, and an active layer disposed between the n-doped first layer and the p-doped second layer and having at least one quantum well. The active layer of the semiconductor structure is divided into a plurality of first optically active regions, at least one second region, and at least one third region. Here, the plurality of first optically active regions are arranged in a hexagonal pattern spaced apart from each other. The at least one quantum well in the active region comprises a larger band gap in the at least one second region than in the plurality of first optically active regions and the at least one third region, the band gap being modified, in particular, by quantum well intermixing. The at least one second region encloses the plurality of first optically active regions.