GaN III-V ATOMIC LAYER ETCHING OF GaN AND OTHER III-V MATERIALS

• Main Authors: KANARIK KEREN JACOBS, YANG WENBING, TAN SAMANTHA, OHBA TOMIHITO, MARKS JEFFREY, NOJIRI KAZUO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 19.05.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to the present invention, an apparatus for etching group III-V materials comprises: a process chamber including a substrate support unit; a power supply unit connected to the substrate support unit; a plasma generator; and a controller having at least one processor and a memory. At least one processor and at least one memory are connected to each other to communicate with each other. The memory includes machine-readable instructions provided for the following steps of: (a) exposing a group III-V material to a plasma containing chlorine without biasing a substrate to form a modified group III-V surface layer, that is, exposing to a plasma containing chlorine, wherein the plasma containing chlorine is fundamentally free of ionic species; and (b) applying a bias voltage to the substrate while exposing the modified group III-V surface layer to an inert plasma to remove the modified group III-V surface layer. III-V 족 재료를 에칭하기 위한 장치는 기판 지지부를 포함하는 프로세스 챔버; 기판 지지부에 연결된 전력 공급부; 플라즈마 생성기; 및 적어도 하나의 프로세서 및 메모리를 갖는 제어기를 포함하고, 적어도 하나의 프로세서 및 메모리는 서로 통신가능하게 연결되고, 메모리는, (a) 개질된 III-V 족 표면 층을 형성하도록 기판을 바이어싱하지 않고 III-V 족 재료를 염소 함유 플라즈마에 노출시키는 단계로서, 염소 함유 플라즈마는 본질적으로 이온 종을 포함하지 않는, 염소 함유 플라즈마에 노출하는 단계; 및 (b) 개질된 III-V 족 표면 층을 제거하도록 개질된 III-V 족 표면 층을 불활성 플라즈마에 노출하는 동안 기판에 바이어스 전압을 인가하는 단계를 위한 머신 판독가능 인스트럭션들을 포함한다.