집적 회로 메모리에서의 읽기 스파이크 완화

제1 와이어, 제2 와이어, 상기 제1 와이어와 제2 와이어 사이에 연결되는 메모리 셀, 제1 와이어에 연결된 제1 전압 드라이버, 및 제2 와이어에 연결된 제2 전압 드라이버를 갖는 집적 회로 메모리 디바이스. 메모리 셀을 읽기 위한 동작 동안, 제2 전압 드라이버는 제1 전압 드라이버가 제1 와이어 상에 인가되는 전압을 증가 및 유지하기 시작한 후 제2 와이어 상에 인가되는 전압을 증가시키기 시작하도록 구성된다. An integrated circuit memory device, having: a first wire; a seco...

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Main Authors SURDYK KENNETH RICHARD, YANG LINGMING, CUI MINGDONG, HAMADA JOSEPHIN TIU
Format Patent
LanguageKorean
Published 18.05.2022
Subjects
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Summary:제1 와이어, 제2 와이어, 상기 제1 와이어와 제2 와이어 사이에 연결되는 메모리 셀, 제1 와이어에 연결된 제1 전압 드라이버, 및 제2 와이어에 연결된 제2 전압 드라이버를 갖는 집적 회로 메모리 디바이스. 메모리 셀을 읽기 위한 동작 동안, 제2 전압 드라이버는 제1 전압 드라이버가 제1 와이어 상에 인가되는 전압을 증가 및 유지하기 시작한 후 제2 와이어 상에 인가되는 전압을 증가시키기 시작하도록 구성된다. An integrated circuit memory device, having: a first wire; a second wire; a memory cell connected between the first wire and the second wire; a first voltage driver connected to the first wire; and a second voltage driver connected to the second wire. During an operation to read the memory cell, the second voltage driver is configured to start ramping up a voltage applied on the second wire after the first voltage driver starts ramping up and holding a voltage applied on the first wire.
Bibliography:Application Number: KR20227013122