실리콘-함유 재료와 실리콘 반응성 다른 재료 사이에 장벽 재료를 갖는 집적 조립체들

• Main Authors: MELDRIM JOHN MARK, MA BINGLI, KLEIN RITA J, DATTA DEVESH KUMAR, DAYCOCK DAVID, DORHOUT JUSTIN B, CHOW KEEN WAH, GEORGE TOM
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 13.05.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

일부 실시예들은 실리콘-함유 재료를 포함하는 전도성 구조체를 갖는 메모리 디바이스를 포함한다. 스택은 전도성 구조체 위에 있고, 교번하는 절연 레벨들 및 전도성 레벨들을 포함한다. 채널 재료 필라들은 스택을 통해 연장되고 전도성 구조체과 전기적으로 결합된다. 메모리 셀들은 채널 재료 필라들을 따라서 있다. 실리콘-함유 재료 아래에 전도성 장벽 재료가 있다. 전도성 장벽 재료는 하나 이상의 비금속과 조합된 하나 이상의 금속을 포함한다. 전기 접촉부는 전도성 장벽 재료 아래에 있다. 전기 접촉부는 실리콘 반응성 영역을 포함한다. 실리콘은 적어도 부분적으로 전도성 장벽 재료로 인해 상기 영역에 도달하는 것이 방지된다. 제어 회로부는 전기 접촉부 아래에 있고, 적어도 전기 접촉부 및 전도성 장벽 재료를 통해 전도성 구조체와 전기적으로 결합된다. Some embodiments include a memory device having a conductive structure which includes silicon-containing material. A stack is over the conductive structure and includes alternating insulative levels and conductive levels. Channel material pillars extend through the stack and are electrically coupled with the conductive structure. Memory cells are along the channel material pillars. A conductive barrier material is under the silicon-containing material. The conductive barrier material includes one or more metals in combination with one or more nonmetals. An electrical contact is under the conductive barrier material. The electrical contact includes a region reactive with silicon. Silicon is precluded from reaching said region at least in part due to the conductive barrier material. Control circuitry is under the electrical contact and is electrically coupled with the conductive structure through at least the electrical contact and the conductive barrier material.