LIGHT EMITTING STRUCTURES WITH SELECTIVE CARRIER INJECTION INTO MULTIPLE ACTIVE LAYERS

• Main Authors: CHEN JYH CHIA, YEH YEA CHUAN MILTON, KISIN MIKHAIL V, CHUANG CHIH LI, EL GHOROURY HUSSEIN S
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.05.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 명세서에는 중간 캐리어 차단층을 포함한 반도체 발광 디바이스(LED)에 대한 다층화된 광학적 활성 영역이 개시되며, 중간 캐리어 차단층은 원하는 디바이스 주입 특성을 달성하기 위해 활성 영역들에 걸쳐 캐리어 주입 분포에 대한 효율적인 제어를 제공하도록 선택된 합성물 및 도핑 레벨에 대한 고안 파라메타를 가진다. 본 명세서에 개시된 실시 예의 예시들은, 다른 것들 중에서도, RGB 공간의 전체 커버리지를 가진 가시적 광학 범위에서 동작은 멀티플-양자-우물 가변-컬러 LED와, 표준 RGB 공간을 벗어난 확장된 컬러 공간을 가진 가시적 광학 범위에서 동작하는 멀티플-양자 우물 가변 컬러 LED와, 가변 컬러 온도를 가진 멀티플-양자-우물 광-백색 방출 LED 및 균일하게 밀집된 활성 영역들을 가진 멀티플-양자-우물 LED를 포함한다. Disclosed herein are multi-layered optically active regions for semiconductor light-emitting devices (LEDs) that incorporate intermediate carrier blocking layers, the intermediate carrier blocking layers having design parameters for compositions and doping levels selected to provide at least one strain compensation layer and efficient control over the carrier injection distribution across the active regions to achieve desired device injection characteristics. Examples of embodiments discussed herein include, among others: a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with full coverage of RGB gamut, a multiple-quantum-well variable-color LED operating in visible optical range with an extended color gamut beyond standard RGB gamut, a multiple-quantum-well light-white emitting LED with variable color temperature, and a multiple-quantum-well LED with uniformly populated active layers.