포토레지스트 박리 조성물

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Main Authors MU JIANHAI, JIANG QI, CHEN XUE, JIANG XIN, KING STEPHEN W
Format Patent
LanguageKorean
Published 04.05.2022
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Summary:유기 아민을 포함하는 포토레지스트 박리 조성물 및 방법이 제공된다. 유기 아민을 포함하는 포토레지스트 박리 조성물은 하기 화학식 (1)을 갖는다: TIFFpct00020.tif2365 (1) A photoresist stripping composition comprising an organic amine and a method is provided. The photoresist stripping composition comprising an organic amine having the following formula (1).
Bibliography:Application Number: KR20227009712