집적 조립체 및 집적 조립체 형성 방법

• Main Author: HALLER GORDON A
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 21.04.2022
• Subjects: ELECTRICITY

일부 실시예는 집적 조립체를 형성하는 방법을 포함한다. 제1 스택이 전도성 구조 위에 형성된다. 제1 스택은 제1 층과 제3 층 사이에 제2 층을 포함한다. 제1 층 및 제3 층은 전도성이다. 제1 스택을 통해 제1 개구가 형성된다. 희생 재료는 제1 개구 내에 형성된다. 제2 스택이 제1 스택 위에 형성된다. 제2 스택에는 제1 및 제2 레벨이 교대로 있다. 제2 스택 및 희생 재료를 통해 제2 개구가 형성된다. 제1 반도체 재료는 제2 개구 내에 형성된다. 제3 개구는 제2 스택을 통해, 제3 층을 통해, 그리고 제2 층에 이르도록 형성된다. 제2 층이 제거되어 도관을 형성한다. 제2 반도체 재료는 도관 내에 형성된다. 도펀트는 제2 반도체 재료로부터 제1 반도체 재료 내로 외부 확산된다. 일부 실시예는 집적 조립체를 포함한다. Some embodiments include a method of forming an integrated assembly. A first stack is formed over a conductive structure. The first stack includes a second layer between first and third layers. The first and third layers are conductive. A first opening is formed through the first stack. A sacrificial material is formed within the first opening. A second stack is formed over the first stack. The second stack has alternating first and second levels. A second opening is formed through the second stack and through the sacrificial material. First semiconductor material is formed within the second opening. A third opening is formed through the second stack, through the third layer, and to the second layer. The second layer is removed, forming a conduit. Second semiconductor material is formed within the conduit. Dopant is out-diffused from the second semiconductor material into the first semiconductor material. Some embodiments include integrated assemblies.