β형 사이알론 형광체 및 발광 장치

X선 광전자 분광 측정에 의해 얻어지는, 형광체의 표면으로부터 8nm의 깊이에 있어서의 알루미늄 원소의 비율을 P8[at％], 형광체의 표면으로부터 80nm의 깊이에 있어서의 알루미늄 원소의 비율을 P80[at％]으로 했을 때, P8/P80≤0.9인, 유로퓸이 고용된 β형 사이알론 형광체. 또한, 이 β형 사이알론 형광체를 포함하는 발광 장치. A europium-doped β-sialon phosphor, in which, when the ratio of an aluminum element at a depth of 8 nm fro...

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Main Authors NOMIYAMA TOMOHIRO, OKUZONO TATSUYA, KOBAYASHI MANABU, MIYAZAKI MASARU
Format Patent
LanguageKorean
Published 21.04.2022
Subjects
ADHESIVES
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMISTRY
DYES
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE
METALLURGY
MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS
MISCELLANEOUS COMPOSITIONS
NATURAL RESINS
PAINTS
POLISHES
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:X선 광전자 분광 측정에 의해 얻어지는, 형광체의 표면으로부터 8nm의 깊이에 있어서의 알루미늄 원소의 비율을 P8[at％], 형광체의 표면으로부터 80nm의 깊이에 있어서의 알루미늄 원소의 비율을 P80[at％]으로 했을 때, P8/P80≤0.9인, 유로퓸이 고용된 β형 사이알론 형광체. 또한, 이 β형 사이알론 형광체를 포함하는 발광 장치. A europium-doped β-sialon phosphor, in which, when the ratio of an aluminum element at a depth of 8 nm from the surface of the phosphor, which is obtained by X-ray photoelectron spectroscopy, is indicated by P8 [at %], and the ratio of an aluminum element at a depth of 80 nm from the surface of the phosphor is indicated by P80 [at %], P8/P80≤0.9 is satisfied. A light emitting device containing this β-sialon phosphor.
Bibliography:Application Number: KR20227007195