Semiconductor memory device and method for fabricating the same

• Main Authors: KANG YUN SEUNG, CHOI JUN YOUNG, YOON CHAN SIC, WOO JAE MIN, LEE MIN YOUNG, RHEE JOON KYU, CHOI JAY BOK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 18.04.2022
• Subjects: ELECTRICITY

Provided is a method for fabricating a semiconductor memory device capable of fabricating a semiconductor memory device with improved product reliability. Provided are a semiconductor memory device and a method for fabricating the same. The method for fabricating a semiconductor memory device comprises: providing a substrate including a trench; forming a sacrificial spacer on the inner wall of the trench; forming a direct contact layer filling the trench on the sacrificial spacer; forming a bit line structure on a direct contact layer; removing the sacrificial spacer to form a first gap in the trench; and forming a direct contact in a trench by etching a portion of a side surface of the direct contact layer exposed in the first gap. 반도체 메모리 장치 및 이의 제조 방법이 제공된다. 반도체 메모리 장치 제조 방법은, 트렌치를 포함하는 기판을 제공하고, 트렌치의 내측벽 상에 희생 스페이서를 형성하고, 희생 스페이서 상에 트렌치를 채우는 다이렉트 컨택막을 형성하고, 다이렉트 컨택막 상에 비트 라인 구조체를 형성하고, 희생 스페이서를 제거하여, 트렌치 내에 제1 갭을 형성하고, 제1 갭에 노출된 다이렉트 컨택막의 측면의 일부를 식각하여, 트렌치 내에 다이렉트 컨택을 형성하는 것을 포함한다.