웨이퍼 내에서 차동 보우를 보상하기 위한 공간적으로 튜닝 가능한 증착
웨이퍼의 하측 표면 상에 막을 증착하기 위한 플라즈마 프로세싱 챔버는 샤워헤드 페데스탈을 포함한다. 샤워헤드 페데스탈은 제 1 존 및 제 2 존을 포함한다. 상부 분리 핀은 샤워헤드 페데스탈의 상단 표면 위에 배치되고 하부 분리 핀은 샤워헤드 페데스탈의 상단 표면 아래에 배치되고 상부 분리 핀과 정렬된다. 제 1 존은 웨이퍼의 하측 표면에 제 1 막을 증착하기 위해 구성되고 제 2 존은 웨이퍼의 하측 표면에 제 2 막을 증착하기 위해 구성된다. 또 다른 실시 예에서, 샤워헤드 페데스탈의 상단 표면은 상부 분리 핀 대신 마스킹 플레이...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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15.04.2022
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Summary: | 웨이퍼의 하측 표면 상에 막을 증착하기 위한 플라즈마 프로세싱 챔버는 샤워헤드 페데스탈을 포함한다. 샤워헤드 페데스탈은 제 1 존 및 제 2 존을 포함한다. 상부 분리 핀은 샤워헤드 페데스탈의 상단 표면 위에 배치되고 하부 분리 핀은 샤워헤드 페데스탈의 상단 표면 아래에 배치되고 상부 분리 핀과 정렬된다. 제 1 존은 웨이퍼의 하측 표면에 제 1 막을 증착하기 위해 구성되고 제 2 존은 웨이퍼의 하측 표면에 제 2 막을 증착하기 위해 구성된다. 또 다른 실시 예에서, 샤워헤드 페데스탈의 상단 표면은 상부 분리 핀 대신 마스킹 플레이트를 수용하도록 구성될 수도 있다. 마스킹 플레이트는 개구부들을 갖는 제 1 영역 및 마스킹되는 제 2 영역으로 구성된다. 제 1 영역들은 막을 증착하기 위해 웨이퍼의 하측 표면의 일부에 프로세스 가스를 제공하도록 사용된다.
A plasma processing chamber for depositing a film on an underside surface of a wafer, includes a showerhead pedestal. The showerhead pedestal includes a first zone and a second zone. The first zone is configured for depositing a first film to the underside surface of the wafer and the second zone is configured for depositing a second film to the underside surface of the wafer. |
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Bibliography: | Application Number: KR20227008634 |