자기 정렬 메모리 구조를 형성하기 위한 기술

• Main Authors: PELLIZZER FABIO, REDAELLI ANDREA, FRATIN LORENZO, PIROVANO AGOSTINO, TORTORELLI INNOCENZO, RUSSELL STEPHEN W
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 14.04.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

자기 정렬 메모리 구조를 형성하기 위한 기술을 위한 방법, 시스템 및 장치가 설명된다. 양태들은 섹션들의 제1 세트를 생성하는 제1 방향을 따라 채널들의 제1 세트를 형성하기 위해 제1 전도성 재료 및 제1 희생 재료를 포함하는 재료들의 적층 어셈블리를 식각하는 것을 포함한다. 절연 재료는 채널들의 제1 세트 각각 내에 증착될 수 있고 제2 희생 재료는 섹션들의 제1 세트 및 절연 재료 상에 증착될 수 있다. 채널들의 제2 세트는 섹션들의 제2 세트를 생성하는 제2 방향을 따라 재료들의 적층 어셈블리 내로 식각될 수 있으며, 여기서 채널들의 제2 세트는 제1 및 제2 희생 재료를 통해 연장된다. 절연 재료는 채널들의 제2 세트에 증착될 수 있으며 희생 재료는 공동을 남기면서 제거된다. 공동 내에 메모리 재료가 증착될 수 있다. Methods, systems, and devices for techniques for forming self-aligned memory structures are described. Aspects include etching a layered assembly of materials including a first conductive material and a first sacrificial material to form a first set of channels along a first direction that creates a first set of sections. An insulative material may be deposited within each of the first set of channels and a second sacrificial material may be deposited onto the first set of sections and the insulating material. A second set of channels may be etched into the layered assembly of materials along a second direction that creates a second set of sections, where the second set of channels extend through the first and second sacrificial materials. Insulating material may be deposited in the second set of channels and the sacrificial materials removed leaving a cavity. A memory material may be deposited in the cavity.