SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: NOMURA MASAFUMI, MIYAMOTO TOSHIYUKI, YAMAZAKI SHUNPEI, OKAZAKI KENICHI, HAMOCHI TAKASHI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.04.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

정전기 방전 손상으로 인해 수율 감소가 예방되는 높은 신뢰도의 반도체 장치가 제공된다. 게이트 전극 층, 게이트 전극 층 위의 게이트 절연 층, 게이트 절연 층 위의 산화물 절연 층, 산화물 절연 층 위에서 산화물 절연 층과 접촉하고 게이트 전극 층과 중첩하는 산화물 반도체 층, 및 산화물 반도체 층에 전기적으로 연결된 소스 전극 층 및 드레인 전극 층을 포함하는 반도체 장치가 제공된다. 게이트 절연 층은 질소를 함유하는 실리콘 막을 포함한다. 산화물 절연 층은 산화물 반도체 층의 구성 원소들로부터 선택된 하나 이상의 금속 원소들을 함유한다. 게이트 절연 층의 두께는 산화물 절연 층의 두께보다 더 두껍다. A highly reliable semiconductor device the yield of which can be prevented from decreasing due to electrostatic discharge damage is provided. A semiconductor device is provided which includes a gate electrode layer, a gate insulating layer over the gate electrode layer, an oxide insulating layer over the gate insulating layer, an oxide semiconductor layer being above and in contact with the oxide insulating layer and overlapping with the gate electrode layer, and a source electrode layer and a drain electrode layer electrically connected to the oxide semiconductor layer. The gate insulating layer includes a silicon film containing nitrogen. The oxide insulating layer contains one or more metal elements selected from the constituent elements of the oxide semiconductor layer. The thickness of the gate insulating layer is larger than that of the oxide insulating layer.