SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD

• Main Authors: LIU SU HAO, YEO YEE CHIA, CHEN KUO JU, CHIU SHIH HSIANG, CHANG HUICHENG, CHEN LIANG YIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 30.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for improving sealing between a contact plug and an adjacent dielectric layer and a semiconductor device formed thereby are disclosed. In one embodiment, a semiconductor device comprises: a first dielectric layer on a conductive feature, wherein a first portion of the first dielectric layer includes a first dopant; a metal feature electrically coupled to the conductive feature, wherein the metal feature includes a first contact material in contact with the conductive feature; a second contact material on the first contact material, wherein the second contact material comprises a different material from the first contact material and a first portion of the second contact material further comprises the first dopant; and a dielectric liner between the first dielectric layer and the metal feature, wherein a first portion of the dielectric liner comprises the first dopant. 콘택트 플러그와 인접 유전체 층 사이의 실링을 개선시키는 방법 및 그에 의해 형성된 반도체 디바이스가 개시된다. 일 실시예에서, 반도체 디바이스는 전도성 피처 위의 제1 유전체 층 - 제1 유전체 층의 제1 부분은 제1 도펀트를 포함함 -; 전도성 피처에 전기적으로 결합된 금속 피처 - 금속 피처는 전도성 피처와 접촉하는 제1 콘택트 재료를 포함함 -; 제1 콘택트 재료 위의 제2 콘택트 재료 - 제2 콘택트 재료는 제1 콘택트 재료와 상이한 재료를 포함하고, 제2 콘택트 재료의 제1 부분은 제1 도펀트를 더 포함함 -; 및 제1 유전체 층과 금속 피처 사이의 유전체 라이너 - 유전체 라이너의 제1 부분은 제1 도펀트를 포함함 - 를 포함한다.