플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법

• Main Authors: USUI TATEHITO, NAGASAWA MITSURU, ETO SOICHIRO, NAKAMOTO SHIGERU
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 29.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

처리 대상의 막의 에칭량을 높은 정밀도로 검출하여 처리의 수율을 향상시킨 플라스마 처리 장치 또는 플라스마 처리 방법을 제공하기 위해, 플라스마가 형성되고 나서 상기 에칭이 종료될 때까지의 복수의 시각에 있어서 상기 웨이퍼 표면에서 반사되어 형성된 복수의 파장의 간섭광의 강도를 나타내는 신호를 검출한 결과를 사용해서 상기 처리 대상의 막층의 두께 또는 에칭의 깊이를 검출하는 공정을 구비하고, 이 공정의 상기 플라스마가 형성된 직후부터의 초기의 기간 중에 있어서 얻어진 복수의 파장의 간섭광의 강도의 변화의 양을 사용해서 상기 처리 대상의 막층의 에칭 처리가 개시된 시각을 검출하고, 당해 개시된 시각 이후의 상기 처리 중의 임의의 시각의 상기 복수의 파장의 간섭광의 강도를 나타내는 실제 데이터와 미리 얻어진 것이며 복수의 상기 막두께 또는 에칭 깊이의 값과 대응지어진 상기 복수의 파장의 간섭광의 강도의 검출용의 데이터 복수를 비교한 결과로부터 상기 임의의 시각의 상기 나머지 막두께 또는 에칭량을 검출한다. A process of detecting a thickness of a film layer to be processed or a depth of etching by using a result of detection of a signal indicating intensity of interference light having a plurality of wavelengths formed at a plurality of time instants from when plasma is formed to when the etching is completed. A start time instant is detected by using an amount of change in the intensity of the interference light. Then, a remaining film thickness or the etching amount at an arbitrary time instant is detected from a result of comparing actual data indicating the intensity of the interference light at the arbitrary time instant during the processing after the start time instant with a plurality of pieces of data for detection of the intensity of the interference light obtained in advance and associated with values of a the film thicknesses or the depths of etching.