TSV THROUGH-SUBSTRATE-VIA WITH REENTRANT PROFILE

• Main Authors: WU WEI CHUANG, LIN HSING CHIH, SHIH HUNG LING, YANG SHIH KUANG, LIU JEN CHENG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 23.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present disclosure relates to an integrated chip. The integrated chip includes a semiconductor device arranged along a first side of a semiconductor substrate. The semiconductor substrate has one or more sidewalls extending from a first side of the semiconductor substrate to a second side of the semiconductor substrate on an opposite side. A dielectric liner lines one or more sidewalls of the semiconductor substrate. Through-substrate vias (TSVs) are arranged between one or more sidewalls and are separated from the semiconductor substrate by the dielectric liner. The TSV has a first width at a first distance from the second side and a second width at a second distance from the second side. The first width is smaller than the second width, and the first distance is smaller than the second distance. 본 개시내용은 집적 칩에 관한 것이다. 집적 칩은 반도체 기판의 제1면을 따라 배열된 반도체 장치를 포함한다. 반도체 기판은 반도체 기판의 제1면으로부터 반대 측에 있는 반도체 기판의 제2면으로 확장하는 하나 이상의 측벽을 가진다. 유전체 라이너는 반도체 기판의 하나 이상의 측벽을 라이닝한다. 기판 관통 비아(TSV)는 하나 이상의 측벽 사이에 배열되고, 유전체 라이너에 의해 반도체 기판으로부터 분리된다. TSV는 제2면으로부터 제1 거리에서 제1 폭을 가지고, 제2면으로부터 제2 거리에서 제2 폭을 가진다. 제1폭은 제2 폭보다 더 작고, 제1 거리는 제2 거리보다 더 작다.