기판 프로세싱을 위한 산화 프로파일의 변조

• Main Authors: BRADY GERALD JOSEPH, MCLAUGHLIN KEVIN M, VAN SCHRAVENDIJK BART J, SANKHE PRATIK, BAPAT SHRIRAM VASANT
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 21.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

기판의 환형 에지 영역을 산화하기 위한 방법들 및 장치들이 본 명세서에 제공된다. 방법은 기판이 기판 홀더에 의해 지지되는 동안, (a) 기판의 주변부 주위에 산화 가스 및 (b) 산소를 포함하지 않는 불활성 가스를 샤워헤드를 통해 기판 상으로 동시에 흘리는 단계로서, 이에 따라 기판의 환형 에지 영역 위의 환형 가스 영역 및 기판의 내부 영역 위의 내부 가스 영역을 생성하는, 산화 가스 및 불활성 가스를 동시에 흘리는 단계를 포함하고, 동시에 흘리는 단계는 기판 상으로 재료의 증착 동안이 아니고, 환형 가스 영역은 내부 가스 영역보다 높은 산화 레이트를 갖는다. Methods and apparatuses are provided herein for oxidizing an annular edge region of a substrate. A method may include providing the substrate to a substrate holder in a semiconductor processing chamber, the semiconductor processing chamber having a showerbead positioned above the substrate holder, and simultaneously flowing, while the substrate is supported by the substrate holder, (a) an oxidizing gas around a periphery of the substrate and (b) an inert gas that does not include oxygen through the showerhead and onto the substrate, thereby creating an annular gas region over an annular edge region of the substrate and an interior gas region over on an interior region of the substrate; the simultaneous flowing is not during a deposition of a material onto the substrate, and the annular gas region has an oxidization rate higher than the interior gas region.