ANALYSIS DEVICE ANALYSIS METHOD ANALYSIS PROGRAM AND PLASMA PROCESS CONTROL SYSTEM

• Main Authors: TANAKA KOKI, AKAHANE SHUHEI, NAGAI RYU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention provides an analysis device, an analysis method, an analysis program, and a system for controlling plasma processing that quantitatively evaluates a condition of a processing space using a time series data group measured in the processing space in which plasma processing is performed. The analysis device has: a calculation part that inputs a group of time series data measured in a determination section that is a predetermined time before a control section to a time series analysis model among the time series data group measured in the processing space in which plasma processing is performed; and a specific part that specifies a characteristic value that determines the control data at the time of plasma processing of a substrate in the control section based on the calculated degree of disparity. 본 발명은, 플라스마 처리가 행하여지는 처리 공간에서 측정되는 시계열 데이터 군을 사용하여, 처리 공간의 컨디션을 정량적으로 평가하는 해석 장치, 해석 방법, 해석 프로그램 및 플라스마 처리 제어 시스템을 제공한다. 해석 장치는, 플라스마 처리가 행하여지는 처리 공간에서 측정되는 시계열 데이터 군 중, 제어 구간보다 앞의 소정 시간인 판단 구간에서 측정되는 시계열 데이터 군을, 시계열 해석 모델에 입력하여, 상기 처리 공간의 기준 컨디션으로부터의 괴리도를 산출하는 산출부와, 상기 제어 구간에서의 기판의 플라스마 처리 시의 제어 데이터를 결정하기 위한 특성값을, 상기 산출된 괴리도에 기초해서 특정하는 특정부를 갖는다.