반도체 디바이스 검사 방법 및 반도체 디바이스 검사 장치

• Main Authors: IWAKI YOSHITAKA, TERADA HIROTOSHI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 15.03.2022
• Subjects: INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES; PHYSICS; TESTING

반도체 디바이스 검사 방법은 반도체 디바이스(D)에 있어서의 복수의 위치로부터의 광을 검출하고, 해당 복수의 위치 각각에 따른 파형을 취득하는 스텝과, 복수의 위치 각각에 따른 파형으로부터 특정 타이밍에 따른 파형을 추출하고, 추출한 파형에 기초하여 특정 타이밍에 따른 화상을 생성하는 스텝과, 특정 타이밍에 따른 화상에 있어서의 휘도 분포 상관값에 기초하여 특징점을 추출하고, 해당 특징점에 기초하여, 반도체 디바이스에 있어서의 구동 소자의 위치를 특정하는 스텝을 구비한다. A semiconductor apparatus examination method includes a step of detecting light from a plurality of positions in a semiconductor apparatus (D) and acquiring a waveform corresponding to each of the plurality of positions, a step of extracting a waveform corresponding to a specific timing from the waveform corresponding to each of the plurality of positions and generating an image corresponding to the specific timing based on the extracted waveform, and a step of extracting a feature point based on a brightness distribution correlation value in the image corresponding to the specific timing and identifying a position of a drive element in the semiconductor apparatus based on the feature point.