이미지 센서

• Main Authors: SARACCO EMELINE, BOUTHINON BENJAMIN, LOUIS JEREMY, VERDUCI TINDARA, DESTOUESSE ELODIE
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 14.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 개시는, 복사선을 포착할 수 있는 유기 광다이오드를 갖는 광학 센서를 포함하는 광전자 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다. 광학 센서는 MOS 트랜지스터(102)로 전자 회로(101)를 덮는다. 이 방법은, 전자 회로 반대편인 광학 센서의 측 상의 광학 센서 상에 상기 복사선을 투과하는 제1 층(201)을 형성하는 단계로서, 제1 층은 광학 센서 반대편 측 상에 평면 표면을 갖는, 제1 층 형성 단계; 및 상기 평면 표면 상에 제2 층(301)을 형성하는 단계를 포함하며, 제2 층은 산소-기밀성 및 수밀성이다. A method of manufacturing an optoelectronic device that includes an optical sensor with organic photodiodes capable of capturing a radiation, the optical sensor covering an electronic circuit with MOS transistors. The method includes forming, on the optical sensor, on the side of the optical sensor opposite to the electronic device, a first layer transparent to the radiation, the first layer having a planar surface on the side opposite to the optical sensor; and forming a second layer on the surface, the second layer being oxygen- and water-tight.