고자기장의 2 차원 감지를 위한 자기저항 기반 감지 회로

• Main Authors: FOISSAC ROMAIN, TIMOPHEEV ANDREY
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 07.03.2022
• Subjects: MEASURING; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS; MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS; MEASURING MAGNETIC VARIABLES; PHYSICS; TESTING

본 개시는 직렬 연결된 메인 터널 자기저항 센서소자(TMR1 및 TMR2)를 포함하는 메인 하프 브리지(101); 및 상기 메인 하프 브리지(101)에 병렬로 연결되고, 직렬 연결된 보조 터널 자기저항 센서소자(TMR3 및 TMR4)를 포함하는 제 1 보조 하프 브리지(102)를 포함하고, 출력 전압(Vout)이 TMR1과 TMR3 사이 및 TMR2와 TMR4 사이의 연결에서 나오는 회로부(100)를 구비하고, 상기 자기저항 센서소자(TMR1 및 TMR3)의 기준 자화(230)는 상기 자기저항 센서소자(TMR2 및 TMR4)의 기준 자화(230)에 대해 각각 실질적으로 반평행하게 배향되며; 상기 제 1 보조 하프 브리지(102)는 상기 메인 하프 브리지(101)의 감지축(250)과 약 180°/n의 각도(θ)만큼 다른 감지축(250)을 가지며, 여기서 n은 소거할 고조파 넘버인 자기 감지 하프 브리지 회로에 관한 것이다. 자기 감지 회로는 각도 오차를 줄이면서 크기가 큰 외부 자기장을 감지할 수 있다. The present disclosure concerns a magnetic sensing circuit comprising a circuit portion (100) including: a main half-bridge (101) comprising series-connected main tunnel magnetoresistive sensor elements TMR1 and TMR2; a first auxiliary half-bridge (102) connected in parallel to the main half-bridge (101) and comprising series-connected auxiliary tunnel magnetoresistive sensor elements TMR3 and TMR4 with an output voltage (Vout) emerging from the connection between TMR1 and TMR3 and between TMR2 and TMR4; wherein a reference magnetization (230) of the magnetoresistive sensor element TMR1 and TMR3 are respectively oriented substantially antiparallel with respect to a reference magnetization (230) of the magnetoresistive sensor element TMR2 and TMR4; and wherein said first auxiliary half-bridge (102) has a sensing axis (250) that differs from the sensing axis (250) of the main half bridge (101) by an angle (θ) of about 180°/n, wherenis the harmonic number to be canceled. The magnetic sensing circuit allows for sensing of external magnetic fields having high magnitude, with reduced angular error.