BOTTOM LATERAL EXPANSION OF CONTACT PLUGS THROUGH IMPLANTATION

• Main Authors: LIU SU HAO, YEO YEE CHIA, CHEN KUO JU, CHOU MENG HAN, CHANG HUICHENG, CHEN LIANG YIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method comprises: forming a metal feature; forming an etch stop layer over the metal feature; implanting a dopant into the metal feature; forming a dielectric layer over the etch stop layer; performing a first etch process to etch the dielectric layer and the etch stop layer to form a first opening; performing a second etching process to etch the metal feature and to form a second opening in the metal feature, wherein the second opening is coupled with the first opening; and filling the first opening and the second opening with a metallic material to form a contact plug. 방법은, 금속 피쳐를 형성하는 것, 금속 피쳐 위에 에칭 정지 층을 형성하는 것, 금속 피쳐에 도펀트를 주입하는 것, 에칭 정지 층 위에 유전체 층을 형성하는 것, 제1 개구를 형성하기 위해 유전체 층 및 에칭 정지 층을 에칭하는 제1 에칭 프로세스를 수행하는 것, 금속 피쳐를 에칭하기 위해 그리고 금속 피쳐에 제2 개구를 형성하기 위해 제2 에칭 프로세스를 수행하는 것 - 제2 개구는 제1 개구와 연결됨 - , 및 콘택트 플러그를 형성하기 위해 제1 개구 및 제2 개구를 금속 재료로 충전하는 것을 포함한다.