Light emitting device and electronic device including the same

• Main Authors: LEE JONG WON, LEE DONG KYU, KANG NAM SU, KIM MIN KYUNG, PARK MIN HO, LEE HYUN SHIK, PARK HUI JU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a light emitting device and an electronic apparatus including the same. According to the present invention, the light emitting device comprises: a first electrode; a second electrode facing the first electrode; m units of light emitting units placed between the first electrode and the second electrode; and m-1 units of electric charge generation layers placed between two of the m units of light emitting units, which are adjacent to each other, and including an n-type electric charge generation layer and a p-type electric charge generation layer. The m units of light emitting units respectively include a positive hole transfer area, light emitting layer, and electron transfer area placed in order. One or more of the m units of light emitting units include a first light emitting layer and a second light emitting layer placed between the first electrode and the second electrode in order. One or more of the m-1 units of positive hole transfer areas adjacent to the m-1 units of p-type electric charge generation layers include a multi-layer positive hole transfer area made of a first undoping layer, doping layer, and second undoping layer laminated in order. The first undoping layer and the second undoping layer are independent from each other and are made of positive hole transfer materials. The doping layer includes a positive hole transfer material and a p-dopant. But, the first positive hole transfer area adjacent to the first electrode does not include the multi-layer positive hole transfer layer. 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치된 m개의 발광 단위들; 및 상기 m개의 발광 단위들 중 서로 인접한 2개의 발광 단위들 사이에 배치되고, n형 전하 생성층 및 p형 전하 생성층을 포함한, m-1개의 전하 생성층을 포함하고, 상기 m개의 발광 단위는 각각 순서대로 배치된 정공 수송 영역, 발광층 및 전자 수송 영역을 포함하고, 상기 m개의 발광층 중 적어도 하나는 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 순서대로 배치된 제1발광층 및 제2발광층을 포함하고, 상기 m-1개의 p형 전하 생성층에 인접한 m-1개의 정공 수송 영역 중 적어도 하나는 순서대로 적층된 제1비도핑층-도핑층-제2비도핑층으로 이루어진 복층 정공 수송층을 포함하고, 상기 제1비도핑층 및 제2비도핑층은 서로 독립적으로, 정공 수송 물질로 이루어지고, 상기 도핑층은 정공 수송 물질 및 p-도펀트를 포함하고, 단, 상기 제1전극에 인접한 1번째 정공 수송 영역은 상기 복층 정공 수송층을 포함하지 않는, 발광 소자 및 이를 포함하는 전자 장치가 개시된다.